MONTAJE DE COMPONENTES CRITICOS

1

OBJETIVO

En este capítulo se trataran los cuidados que deberemos tener en el momento  de montar los

componentes mas críticos de una PC, algunos de ellos ya los vimos en capítulos anteriores y

en este agregaremos unos nuevos.

Un componente crítico, es aquel que requiere de nuestra  mayor atención y todo el cuidado en

su etapa de montaje, para que no sea dañado en forma permanente y por lo tanto inutilizándo-

lo para su funcionamiento.

El énfasis en el cuidado se debe a que un componente en particular puede tener mas de una

característica de montaje, o pertenecer a una familia (subgrupo), complicando su identifica-

ción y por consiguiente su montaje. Un ejemplo de esto son los microprocesadores y las me-

morias que vimos en los capítulos 3 y 4, otro componente es la interfaz de video en su versión

AGP, las cuales presentan varios modelos al igual que los microprocesadores y las memorias,

es por este motivo que debemos reconocer correctamente el componente para tratarlo adecua-

damente y así evitar cualquier tipo de daño

2

MEMORIAS

Para comenzar veremos los distintos tipos de memorias en forma mas detallada, ya que cada

una de ellas posee algún elemento característico de seguridad para su montaje.

2.1

MEMORIAS SIMM DE 30 PINES

Hoy en día se dificulta conseguirlas fácilmente, pero aún algunos proveedores incluyen estas

memorias en sus listas de precio.

Este SIMM (Single In-line Memory Module) consta de 30 contactos y maneja 8 bits, ver

figura 8.1. Las PC que utilizan

típicamente estas memorias son

las 386 y 486.

Estos módulos se presentan en

capacidades de 256Kbyte,

1Mbyte y 4Mbyte.

Su tensión de alimentación es

de 5Vcc.

Esta muesca sobre el SIMM evita que el mismo pueda ser insertado al revés en su zócalo y

también se lo conoce por su nombre en ingles Cutout <-kataut->.

Muesca

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Muesca             Ranura de posición

2.2

MEMORIAS SIMM DE 72 CONTACTOS

En la figura 8.2 podemos ver un módulo SIMM de  memoria que tiene 72 contactos y maneja

32 bits. Las PC que utilizan este tipo de memoria son algunos 486, 586, K6-II, K6-III, Cele-

ron,  Pentium, Pentium Pro y Pentium II.

La capacidad de estos módulos de memoria es de 4Mbyte, 8Mbyte, 16Mbyte, 32Mbyte y

64Mbyte.

Como en el caso del SIMM de 30 contactos, esta memoria también funciona con 5Vcc.

Estas muescas y

ranuras sobre el

SIMM evitan que el

mismo pueda ser

insertado al revés en

su zócalo. Como

referencia podemos

citar que la ranura en

idioma ingles se conoce con el nombre de

Keyway <-kíuei-> ranura de posicionamiento o Notch <-nach-> ranura.

2.3

INSTALACION DE MEMORIAS SIMM

En la  descripción del procedimiento de instalación abordaremos a los dos modelos de memo-

rias, 30 y 72 contactos, ya que el procedimiento es muy similar utilizaremos la figura 8.3 co-

mo referencia para realizar la explicación.

1 – Para los módulos SIMM de 30 contactos debemos verificar que el corte “A” (muesca) y el

lado “B” (liso) se encuentren orientados como corresponde sobre el zócalo del SIMM ingre-

sándolos a 45 grados tal como se ve en el paso 1 de la figura 8.3. Para los SIMM de 72 el pro-

cedimiento es igual, pero con el agregado de la ranura de posicionamiento que facilita aún

más el procedimiento.

2 – Una vez que el SIMM se apoya sobre el zócalo con la inclinación arriba mencionada, de-

bemos enderezar el SIMM llevándolo a la posición de 90 grados, donde se concluye con la

fijación de la memoria por medio de una traba lateral.

3 – En el paso 3 puede verse la instalación ya terminada.

2.4

MEMORIAS DIMM DE 168 CONTACTOS

DIMM significa Dual In-line Memory Module es decir modulo de memoria dual en línea.

Este tipo de memoria posee 168 contactos y maneja 64 bits. Comercialmente estas memorias

se encuentran disponibles en capacidades de 8Mbytes, 16Mbytes, 32Mbytes, 64Mbytes,

128Mbytes, 256Mbytes y 512Mbytes.

Como vimos en capítulos anteriores existen distintas tecnologías de memorias y también sus

requerimientos de alimentación son distintos, por ejemplo las DIMM trabajan con una tensión

de  3,3Vcc ó 5Vcc, dependiendo su tipo. Otra característica que sumaremos a las ya vistas es

la tecnología de Buffered <-baferd-> y Unbuffered <-anbaferd-> o simplemente Non- Buffe-

red

Un DIMM unbuffered se conecta directamente a los buses de control y de dirección del sis-

tema, esta tecnología  hace que los buses se sobrecarguen cuando instalamos más memorias y

esto es debido a la cantidad  de chips que componen la memoria. Esta tecnología es la que se

utiliza en la actualidad para máquinas hogareñas y la capacidad de manejar una mayor canti-

dad de esta memoria esta dada por la característica del chipset y la placa madre. Debido a

esto, la cantidad típica de memoria que soporta una placa madre diseñada para trabajar con

memorias unbuffered esta limitada a un máximo de 4 módulos DIMM.

Un DIMM buffered tiene un chip extra en la lógica que reduce la carga eléctrica en los buses

de control y direcciones del sistema. Por tal motivo una placa madre diseñada para trabajar

con DIMM buffered, puede tener mas módulos de memoria cargados al mismo tiempo debido

a que el chip de buffer “absorbe” parte de la carga del bus. Una placa madre diseñada para

trabajar con esta tecnología nos permite utilizar desde 8 módulos y llegar hasta los 16 módu-

los de memoria.

En la figura 8.4 podemos ver que las ranuras de posicionamiento son las encargadas de de-

terminar tanto el tipo de tecnología como la tensión de alimentación del módulo. La indica-

ción de la arquitectura nos indica si el DIMM es Buffered o Unbuffered.

Como referencia para la posición de las ranuras utilizaremos una posición equidistante (cen-

tro) entre los contactos 10 y 11 para indicar la arquitectura, mientras la posición entre 40 y 41

indicará la tensión de alimentación

3

¿COMO INTERPRETAMOS LAS RANURAS?

Como observamos en

la figura 8.5 la ranura

indicadora de la

arquitectura se

encuentra al  centro de

los contactos 10 y 11

y la ranura del

indicador de tensión se encuentra a la izquierda junto al contacto 40 y

alejado del  41. Esto nos indica que este es un DIMM BUFFERED de 5V.

En la figura 8.6

observamos que la

ranura de arquitectura

se encuentra al centro

de los pines 10 y 11, y

la ranura de la indica-

ción de la tensión se

encuentra al centro de los contactos 40 y 41. Esto nos indica que este

es un DIMM BUFFERED de  3.3V.

puede determinar que

la ranura de

arquitectura esta al

centro de los con-

tactos 10 y 11 lo cual

indica que es

Buffered. El de tensión se encuentra alejado del contacto

40 y junto al contacto 41 y esto nos indica que carece de

importancia la tensión de alimentación. Por lo expuesto podemos decir que este es un DIMM

BUFFERED de X,X V. Donde X,X significa que la tensión carece de importancia.

Ahora podemos notar

que la ranura de

arquitectura no se

encuentra al centro de

los pines 10 y 11 sino

que esta alejado del

contacto 10 y junto al

contacto 11 es decir a la derecha del centro y esto nos indica que el tipo de

memoria es Unbuffered. Como la ranura de indicación de tensión se

encuentra a la izquierda del centro, es decir, junto al contacto 40 y alejado del 41 podemos

decir que es de 5V. Entonces por lo anteriormente dicho podemos decir que este es un DIMM

UNBUFFERED de  5V.

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podemos notar nue-

vamente que la ranura

de arquitectura se

encuentra a la derecha

y la de tensión al

centro por lo cual

inferimos que es un

DIMM UNBUFFERED de 3,3V

tenemos el indicador

de la arquitectura a la

derecha del centro

contra el contacto 11

lo que indica que es

Unbuffered y la

ranura de alimentación a la derecha del centro junto al

contacto 41 con lo cual que el valor de la tensión de alimentación es indistinto, por lo tanto

este es un DIMM UNBUFFERED de X,X V. Donde X,X indica que la tensión carece de im-

portancia.

4

MEMORIAS DIMM DDR DE 184 CONTACTOS

Estas memorias reciben su nombre por la sigla DDR que significa "Double Data Rate". Los

DIMM DDR son muy similares a las DIMM SDRAM exceptuando su velocidad de trabajo, la

cantidad de contactos y su tensión de alimentación.

Tienen 184 contactos, es decir 92 por lado, pero el tamaño físico es el mismo y por lo tanto

los contactos son más pequeños.

De todos modos no debemos preocuparnos por instalar un DDR en un zócalo de DIMM o al

revés debido a que el DIMM SDRAM tiene 2 ranuras y el DDR tiene una y desplazada del

centro hacia la derecha.

El otro punto que debemos mencionar es que la tensión de alimentación es de 2,5 o 1,8 Vol-

tios.

La doble traba de ranura o en ingles Latch notches <-lach nachs-> nos permite insertar estos

DDR en zócalos de simple o doble altura.

transferencia de un dato debe ocurrir en un flanco de clock. Los pulsos de clock oscilan entre

0 y 1, y la transferencia de datos deben ocurrir en el flanco de subida es decir cuando el pulso

cambia de 0 a 1. Hasta que no vuelva haber un flanco de subida  no habrá otra transferencia

de datos.

Las DDR trabajan permitiendo la transferencia de datos en el flanco de subida del clock como

en el flanco de bajada.

De este modo se dobla la cantidad de información que puede mover en cada ciclo, llegando

por consiguiente a que una memoria DDR podrá transferir el doble datos en relación a una

DIMM SDRAM a la misma velocidad de trabajo

También debemos mencionar que existen dos tipos de DIMM DDR que son las REGITERED

y las UNBUFERED. Igual que en la tecnología de DIMM SDRAM, también están las memo-

rias DDR Unbuffered y poseen las mismas características, pero las memorias DDR la tecno-

logía llamada Registered tiene el mismo propósito que la Buffered en las DIMM SDRAM.

4.1

DIMM DDR UNBUFFERED

Este módulo es el más económico de las DDR, pero esta limitando el número de módulos que

se pueden utilizar. Como característica principal debemos decir que el bus de direcciones lle-

ga a todos los chips DDR SDRAM.

En la figura 8.13 podemos ver un esquema de esta memoria, donde podemos ver que el bus de

direcciones se conecta directamente con todos los chips que componen el DIMM.

Figura 8.13

Con respecto a la velocidad debemos mencionar que tradicionalmente, en una SDRAM,  la

4.2

DIMM DDR REGISTERED

Las REGISTERED agregan un chip similar al utilizado en las memorias SDRAM sobre el

DIMM que permite duplicar la densidad de cada modulo.

El bus de direcciones no se conecta directamente con los chips de memoria de la DDR, lo

hacen a través del Registered como se muestra en figura 8.14, por lo tanto este esquema per-

mite duplicar la cantidad de memoria que soporta un módulo.

4.3

DIMM DDR2

DDR2 es la nueva tecnología de memorias que

ira, progresivamente, desplazando del mercado a

las conocidas DDR. Las nuevas características

son:

•

Duplica la cantidad de datos utilizando dos

relojes, así aumentando a 4 los datos en un ci-

clo de reloj.

•

Cuenta con 240 Contactos en su distribución

estándar para PC. Y una sola ranura de posi-

cionamiento.

•

Velocidades que van desde los 400 hasta los 667 Mhz y hasta 1GB de capacidad.

•

Menor consumo de energía (hasta un 50% menos utilizando 1,8 Volts) y mejor desempeño

térmico.

Factor de Forma

DDR2

DIMM Sin Buffer (ECC y no ECC)

240 Contactos, 1.8 V

DIMM ECC Registered

240 Contactos, 1.8 V

Para utilización en integraciones propietarias

SO-DIMM (Notebooks)

200 Contactos, 1.8 V

Mini DIMM Registered

244 Contactos, 1.9 V

Micro DIMM

214 Contactos, 1.8 V

Las memorias DDR2 no son compatibles con DDR ya que el voltaje que utilizan es diferente.

¿COMO INTERPRETAMOS RANURAS EN DDR?

En las memorias DDR las ranuras se utilizan para determinar la tensión de alimentación de

los módulos. Solo existen dos versiones, una de 2.5 Voltios y otra de 1,8 Voltios, también se

reservó una tercera versión para futuras aplicaciones y que se identifica por su sigla en ingles

TDB (To Be Develop – A Ser Desarrollado). Las figuras 8.15, 8.16 y 8.17 nos muestran los

distintos posicionamientos de las ranuras (izquierda, centro o derecha) respecto del centro

formado entre los contactos 52 y 53.

5

MEMORIAS RIMM

RDRAM DE 184

CONTACTOS

La arquitectura de las memorias

SDRAM están llegando prácticamente

al límite superior de la frecuencia de

operación, con las velocidades de los

microprocesadores actuales, mas los

próximos por venir, nos encontramos

con el problema de que la cantidad de

información que pueden transferir es

muy superior a lo que puede ofrecer la

tecnología. La introducción de la tec-

nología DRDRAM sobre módulos

RIMM de la empresa Rambus junto a

Intel en 1999 puede ser una solución al

problema que planteamos por un pe-

riodo de tiempo prolongado.  La tecnología RDRAM utiliza canales específicamente diseñados para transportar los datos a y desde la memoria, la primer versión salió con  un canal simple o en ingles Single Channel y la siguiente versión incluyó dos canales o en ingles Two Channels, un diagrama de estas  tec- nologías de canales se puede ver en la figura 8.18. Un canal incluye un controlador de memoria, uno o mas  módulos RIMM RDRAM y en el extremo mas lejano un Terminador o en ingles (Continuity RIMM - RIMM de Continui- dad), este terminador tiene como función cerrar el circuito al final del canal, para que retornen ciertas señales al controlador de memoria. El uso de este terminador es obligatorio y necesario para el correcto funcionamiento de este sistema, además estos terminadores deben instalarse uno por cada canal, dependiendo de la tecnología de canal que estemos utilizando. Una tecnología de cuatro canales está en desarrollo y promete ser el futuro para las PC de alto desempeño, pero tendremos que esperar un poco mas de tiempo para verla. Este canal a diferencia de las otras tecnologías trabaja con 2 bytes (16 bits) y usa un pequeño número de señales de alta velocidad para transportar la información de datos, control, y direc- ciones hasta una velocidad de 800Mhz, otra característica es la posibilidad de transferir dos datos por cada ciclo de reloj, similar al DDR. Con estas características una memoria sobre un canal simple tiene una capacidad de transferir el doble datos que  una memoria DIMM SDRAM e igual a una DDR, esto parece poco pero debemos recordar que esta tecnología trabaja con solo 16 bits, o sea la cuarta parte de los 64 bits que utilizan las otras tecnologías. La próxima tecnología de canales funcionará  a 800 y 1066 MHz y los módulos de memoria serán de 32 y 64 bits, por lo que se podrá alcanzar transferencias de datos desde 4 y hasta 8 veces más que su tecnología predecesora, algo impensable para las SDRAM. En la actualidad los módulos de  memorias RIMM que se utilizan para canal simple y canal doble son los mismos y los valores comerciales disponibles los siguientes, 64MB, 92MB, 128MB, 192MB, 256MB y 512MB

LECTURA DE LAS INDICACIONES

Antes de comenzar a explicar como se leen las ranuras, debemos mencionar que el tamaño de

de estos módulos es igual al de un DIMM, pero con la diferencia que poseen 184 contactos

(92 por lado), igual que en las DDR pero con distinta distribución física y tienen 2 ranuras de

posicionamiento. Una característica distintiva y mucho más llamativa, es que se presentan con

una cubierta metálica que oficia de disipador térmico, ya que desarrollan mas calor que el

resto de las memorias y de esta forma cambiando la vista tradicional de los módulos. En la

imagen 8.19 podemos observar una memoria con el disipador térmico montado y en la figura

8.20 una vista de la misma memoria sin el disipador térmico, donde podemos ver la disposi-

ción tradicional de los chips.

Cont.1    Cont. 46      ranuras de posicionamiento    Cont. 47      Cont.92

Figura 8.19

ESTUDIO

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Figura 8.21

Debemos mencionar que si bien en la actualidad los módulos RIMM funcionan a 2,5Volts,

ya se encuentra en el diseño, la forma que deberán tener los próximos módulos, que trabajen

con otras tensiones. Por ese motivo incluimos esta información.

Como podemos apreciar en la figura

8.21, para poder diferenciar las

distintas  tensiones de alimentación que

tendrán los RIMM, solo debemos

tomar como referencia la separación

entre las ranuras de posicionamiento,

tomando la medida entre sus centros.

El primer ejemplo es una memoria de

2.5 Voltios (la única disponible en la

actualidad) que tiene una distancia

entre ranuras de 11.50 milímetros, para

los otros ejemplos la metodología es la

misma.

Aun no se ha especificado que tensión

tendrán los próximos RIMM, pero ya

están normalizadas las distancias que

hay entre las ranuras de posicionamiento como podemos ver en los

dos últimos ejemplos

2

INSTALACIÓN DE MÓDULOS DIMM, DDR Y RIMM

Como hemos observado estos tres módulos tiene mucho en común con respecto a sus contac-

tos, pero como vimos es imposible colocar un módulo de una tecnología en otra debido a que

las ranuras de posicionamiento no coinciden.

En la figura 8.22 podemos ver procedimiento de

extracción de un módulo de memoria, comenzando

por abrir las trabas que lo sujeta (1) y luego retirar

el módulo tirando hacia arriba (2).

Para insertar los módulos de memoria podemos ver

en la figura 8.22 el siguiente procedimiento, de-

bemos verificar previamente que las trabas que

tiene el zócalo estén abiertas (1), luego debemos

observar el zócalo para tomar referencia de donde

se encuentran las ranuras de posicionamiento y

hacerlas coincidir con nuestro zocalo (2), luego de

esta verificación podemos insertar el  módulo (3)

deslizándolo verticalmente hasta que haga tope

con el fondo del zócalo, como último paso y sir-

viendo de verificación del procedimiento de inser-

ción, las trabas laterales deberán quedar perfecta-

mente cerradas (4)

6

INSTALACION DE MICROPROCESADORES

El objetivo de la siguiente información es de obtener una referencia física de cada modelo de

microprocesador, para luego poder identificar el pin número uno u otra característica que im-

pida un montaje defectuoso que pude llevar a la pérdida irremediable del dispositivo en cues-

tión.

6.1

ENCAPSULADO FC-PGA

FC-PGA es la sigla que corresponde a Flip Chip Pin Grid Array, la pastilla del microprocesa-

dor esta expuesta en su parte superior donde se coloca el disipador de calor, cuyo montaje

veremos en próximos capítulos. Este encapsulado es

utilizado por los procesadores  Pentium III y Celeron

que tienen 370 Pines, el zócalo donde se inserta se lo

conoce como Socket 370.

En la imagen 8.23 se puede ver un Pentium III en

encapsulado FC-PGA del lado de abajo, donde

podemos ver que los pines terminan en ángulo recto

en un solo lado del

chip mientras que

del otro lado

terminan en

chanfle.

Al momento de

instalarlo se deberá

prestar atención a la posición de los

pines para que coincidan con los

orificios de los zócalos.

En la imagen 8.24 vemos al Pentium III del lado de arriba,

donde podemos notar el pequeño tamaño que tiene el chip en este

encapsulado y la indicación del pin 1. Sobre el chip debe ir una

pequeña cantidad de grasa siliconada que sirve para asegurar el acoplamiento térmico entre el

disipador y el microprocesador

6.2

ENCAPSULADO FC-PGA2

Este encapsulado es similar al encapsulado FC-PGA, excepto que estos procesadores tienen

un disipador térmico integrado. Este disipador térmico

es integrado en el proceso de fabricación directamente

sobre el chip del microprocesador. Por lo tanto la

cantidad de superficie disipadora es mayor y se logra

una mejor conducción térmica. Los procesadores que

utilizan este encapsulado son los Pentium III, Celeron

de 370 pines y Pentium 4 de 478 Pines.

En la figura 8.25 se puede ver el microprocesador

Pentium 4 de 478 pines visto de abajo, donde podemos

observar que solo tiene un solo lado con terminación

en chanfle y el resto de los ángulos terminan en ángulo

recto.

E En la figura 8.26 se pude ver el mismo procesador Pentium 4 desde una vista superior Puede verse como un disipador  ocupa casi toda la superficie del micro mejorando la conducción tér- mica entre la pastilla y el exterior 6.3 ENCAPSULADO OOI OOI es una derivación de OLGA (Organic Land Grid Array). El diseño de los procesadores que utilizan OLGA tiene la base del microprocesador hacia abajo para lograr un mejor mane- jo de las señales y una mejor disipación de la temperatura. El Encapsulado OOI es solamente usado por el Pentium 4 de 423 Pines y lo podemos observar en la figura 8.27. Una característica que podemos observar, es que los pines se agrupan en hileras y la canti- dad de estas varían en los cuatro lados  del microprocesador. En la figura 8.28 podemos ver el Pentium 4 de 423 pines visto de arriba y podemos observar que este encapsulado tiene un disipador térmico incluido más chico que el FC-PGA2 T 6.4 ENCAPSULADO PGA Los microprocesadores PGA (Pin Grid Array) se caracterizan por tener los pines insertados sobre la base de montaje y para mejorar la conducción térmica utilizan una cobertura de cobre tratada con níquel en la parte superior. Los pines que están en la parte de abajo del procesador están colocados al tresbolillo (filas paralelas cruzadas en diagonal). El encapsulado PGA es usado por la familia de procesadores XEON que tiene 603 Pines. En la figura 8.29 puede observarse como los pines se encuentran paralelos, tanto en forma vertical, como en forma horizontal y mantienen la misma distancia hacia todos lados. En la figura 8.30 observamos como una depre- sión sobre la superficie niquelada nos indica donde se encuentra el pin 1 y unas marcas indi- cando los chanfles. 6.5 ENCAPSULADO PPGA PPGA (Plastic Pin Grid Array), estos microprocesadores también tienen insertados sus pines en una base de material plástico donde monta el microprocesador. Como en el caso de los PGA también tienen una cubierta de cobre niquelada y los pines de su cara inferior también están en tresbolillo. Este encapsulado es utilizado por los procesadores Celeron más modernos que tienen  370 Pines. En la figura 8.31 podemos ver la parte inferior del Ce- leron de 370 Pines y como los pines se encuentran al tresbolillo además de notar la terminación en chanfle para evitar insertarlos mal en su zócalo.

Aquí en la figura 8.33  podemos observar como están

insertados los pines sobre el plástico y la cubierta de

cobre del procesador antes del niquelado final.

6.6

ENCAPSULADO S.E.C.C.

SECC (Single Edge Contact Cartridge), para poder conectarlo a la placa madre, este

microprocesador utiliza un conector de borde para ser insertado en un Slot o ranura. Este tipo

de encapsulado no tiene pines ya que cuenta con contactos sobre el borde de una placa base

que contiene el microprocesador. El encapsulado tipo SECC esta formado por una carcaza

metálica que cubre la parte superior y los laterales del cartucho y donde la parte de atrás del

cartucho es el disipador térmico. Los Encapsulados S.E.C.C. son utilizados por los Pentium II

con 242 contactos, procesadores Pentium® II Xeon™ y Pentium III Xeon que tienen 330 con-

tactos.

En este tipo de encapsulado notamos que el

procesador esta totalmente cerrado, quedando

expuesto solamente los contactos de co-

nexión. El notch o ranura se encuentra entre

el PIN B73 y B74

En la figura 8.34 podemos ver el disipador tér-

mico del microprocesador debajo de la montura

del ventilador. Los contactos de éste lado em-

piezan a contarse desde A1 y terminan en B171.

6.7

ENCAPSULADO S.E.C.C.2

El encapsulado SECC2 es similar al encapsulado SECC pero utiliza una carcaza más chica,

por lo cual se puede ver parte de la base de montaje del sustrato. Este encapsulado es usado

por las primeras versiones de Pentium II y Pentium III de 242 Contactos.

En la figura 8.35 podemos ver claramente la

base o también llamada sustrato. Como el

lado que estamos viendo es el que no tiene el

ventilador entonces los contactos serán de A1

hasta el A121.

En al figura 8.38 podemos ver el lado del venti-

lador y como los contactos van numerados des-

de A1 hasta A121.

6.8

ENCAPSULADO S.E.P.

SEP (Single Edge Processor), el encapsulado SEP es similar al encapsulado SECC o SEEC2

pero no tiene ningún tipo de cobertura metálica por lo tanto la base está totalmente expuesta

en la parte de atrás del microprocesador. El encapsulado SEP es usado por los procesadores

Celeron de 242 pines

Como podemos ver en la figura 8.37, no hay mu-

cha diferencia entre SEP y SECC2.

Podríamos decir que es la misma imagen.

La imagen 8.38 muestra la parte tras-

era  y todos sus componentes, por lo

tanto es necesario tener mucho cuida-

do durante el procedimiento

El constante avance tecnológico hizo que rápidamente surgieran novedades sobre el video

AGP, la primera versión de esta tecnologia, comparada con un video sobre Bus PCI, pude

transferir el doble de información y a esta versión se la denominó AGP 1X, la segunda ver-

sión transfiere el doble información que la X1 y se llama AGP X2 y la siguiente transfiere el

doble que la x2  se llama AGP X4.

No solamente se modificó la cantidad de información que se podía transferir, también la ten-

sión de alimentación cambió y en la actualidad se utilizan dos valores de tensión, 1,5 Voltios

y 3,3 Voltios.

También se encuentra en desarrollo otra familia de AGP, que se denomina AGP Pro  para

tareas de mayor envergadura, pero requieren de un zócalo especial y nuevas características en

su alimentación.

Por tal motivo veremos en detalle los zócalos utilizados en cada una de las versiones y lo

completaremos con dos tablas, que nos informarán más claramente sobre cada una de las ca-

racterísticas y en que placas madre funcionan.

7.1

LECTURA DE LOS SLOT AGP

Todos los dibujos de los slots que podemos

apreciar en la figura 8.43 se trata de la tecno-

logía AGP tradicional.

En estos momentos se esta comenzando a

liberar al mercado una tecnología que se lla-

ma AGP PRO que sirve para poder dar sopor-

te a las futuros multiplicadores de AGP.

Los dibujos de estos slots pertene-

cen a una nueva tecnología llamada

AGP PRO que toma como base el

slot AGP estándar pero incluye mas

ranuras de posicionamiento en sus

dos extremos.

Estas ranuras están relacionadas con

la tensión de alimentación y los nue-

vos  requerimientos de potencia para

soportar las nuevas características

Cuando usemos esta tecnología los 2

Slot PCI linderos no van a poder ser

utilizados. La próxima placa será

AGP 8X